金属的纯度是相对于杂质而言的，广义上杂质包括化学杂质（元素）和物理杂质（晶体缺陷）。物理杂质主要是指位错及空位等，而化学杂质是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。但只有当金属纯度达到很高的标准时（如纯度9N以上的金属），物理杂质的概念才是有意义的，所以生产上一般以化学杂质的含量作为评价金属纯度的标准，即以主金属减去杂质总含量的百分数表示，常用N（nine的第一个字母）代表，如99.9999%写为6N，99.99999%写为7N。
 
目前高纯金属纯度的表示方式主要有两种：一种是以材料的用途来表示，如“光谱纯”、“电子级纯”等；另一种是以某种特征来表示，例如半导体材料用载流子浓度，即1立方厘米的基体元素中起导电作用的杂质个数来表示，而金属主要用剩余电阻率RRR和纯度级R表示纯度。
 
随着材料加工技术水平的提高，金属的纯度在不断提高，但要制备绝对纯的金属是不可能的。所谓的“高纯”和“超纯”具有相对的含义，是指技术上达到的标准。由于科学技术的发展，也使得“高纯”和“超纯”的标准在不断升级。例如过去高纯金属的杂质为ppm级（即百万分之几），超纯半导体材料的杂质为ppb级（十亿分之几），而现在己经逐步发展到以ppb级（十亿分之几）和ppt级（一万亿分之几）来表示。同时各个金属的提纯难度不尽相同，如半导体材料中称9N以上为高纯，而难熔金属达6N己属超高纯。